制造半導(dǎo)體元件時(shí),常常需要測(cè)定硅片上的二氧化硅薄膜的厚度.可以將二氧化硅薄膜的一部分腐蝕掉,露出一個(gè)傾斜的劈尖膜.用波長(zhǎng)為589.3nm的鈉光垂直照射,觀察到如圖所示的條紋.已知硅的折射率為3.42,二氧化硅的折射率n=1.52,計(jì)算此氧化層的厚度d.