簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來(lái)增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。

吸附平衡關(guān)系由吸附過(guò)程的方向和極限決定的，是吸附過(guò)程的基本依據(jù)。

吸附質(zhì)從流體主體通過(guò)分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過(guò)薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過(guò)程。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無(wú)機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。