下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。