封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）