問答題比較整版掩模和單片掩模的區(qū)別,并列舉三種掩模的制造方法。
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晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
版圖設(shè)計的基本前提是什么?
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題