CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

簡述真空蒸鍍的原理。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。