MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。