金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）