干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

解釋什么是暗場掩模板？

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

描述電子回旋共振（ECR）。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

什么是結(jié)深？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。