在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過(guò)渦流流體的傳遞過(guò)程。

溫度的高低不必用數(shù)字來(lái)說(shuō)明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

反應(yīng)氣體或生成物通過(guò)邊界層，是以擴(kuò)散的方式來(lái)進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力，則是來(lái)自于氣體分子局部的濃度梯度。

活性炭對(duì)物質(zhì)的吸附是對(duì)極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱(chēng)為真空獲得設(shè)備或真空泵。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。