靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

活性炭對(duì)物質(zhì)的吸附是對(duì)極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

簡(jiǎn)述雜質(zhì)對(duì)擴(kuò)散的影響。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。