材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。