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LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆蓋，在低溫APCVD中，非保形覆蓋一般比較常見(jiàn)。
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相同摻雜濃度下，多晶硅的電阻率比單晶硅的電阻率高得多。
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LPCVD系統(tǒng)中淀積速率是受表面反應(yīng)控制的，APCVD系統(tǒng)中淀積速率受質(zhì)量輸運(yùn)控制。
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