判斷題PN結(jié)隔離所依據(jù)的基本原理是利用PN結(jié)正向偏置時(shí)的高阻性。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
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20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
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由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
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目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
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把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}