單項(xiàng)選擇題關(guān)于電介質(zhì)下列說法正確的是()

A.附加場E使介質(zhì)內(nèi)E小于外場E0
B.均勻介質(zhì)的極化電荷分布在介質(zhì)內(nèi)部
C.極化強(qiáng)度P僅由介質(zhì)性質(zhì)決定
D.D矢量只由自由電荷決定與極化無關(guān)


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1.單項(xiàng)選擇題金屬圓錐體帶正電荷時(shí),其表面()

A.圓錐頂點(diǎn)處電位最高
B.圓錐頂點(diǎn)處場強(qiáng)最大
C.圓錐頂點(diǎn)處電位最低
D.圓錐表面附近場強(qiáng)處處相等

2.單項(xiàng)選擇題

如圖所示為靜電場的一部分電力線的分布情況,下列說法中正確的是()

A.這個(gè)電場可能是負(fù)點(diǎn)電荷形成的電場
B.A、B兩點(diǎn)的場強(qiáng)方向相同
C.點(diǎn)電荷q在A點(diǎn)受到的電場力一定比在B點(diǎn)時(shí)大
D.A點(diǎn)的電勢一定比B點(diǎn)的電勢高

3.單項(xiàng)選擇題在點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場中有一塊不對稱的電介質(zhì),這樣對以點(diǎn)電荷為球心的球形高斯面()

A.高斯定理成立,并可以求出高斯面上各點(diǎn)的E
B.高斯定理成立,但不能由高斯定理求出高斯面上各點(diǎn)的E
C.高斯定理不成立
D.即使電介質(zhì)對稱,高斯定理也不成立

4.單項(xiàng)選擇題在真空平行板電容器的中間平行插一片介質(zhì),當(dāng)給電容器充電后,電容器內(nèi)的場強(qiáng)為()

A.介質(zhì)內(nèi)的電場強(qiáng)度為零
B.介質(zhì)內(nèi)與介質(zhì)外的電場強(qiáng)度相等
C.介質(zhì)內(nèi)的場強(qiáng)比介質(zhì)外的場強(qiáng)小
D.介質(zhì)內(nèi)的場強(qiáng)比介質(zhì)外的場強(qiáng)大

最新試題

鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復(fù)阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。

題型:判斷題

多相合金的居里點(diǎn)和相的成分有關(guān),合金中有幾個(gè)鐵磁相,相應(yīng)的就有幾個(gè)居里點(diǎn)。

題型:判斷題

不同鐵磁材料的磁化曲線是不一樣的,軟磁材料(如工業(yè)軟鐵、低碳鋼等)的磁化曲線比較平坦,說明這種材料易于磁化。

題型:判斷題

雜質(zhì)會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變,造成電子散射,使電導(dǎo)率增加。

題型:判斷題

金屬在壓應(yīng)力作用下,由于原子振幅的減小,導(dǎo)致電導(dǎo)率減小。

題型:判斷題

阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵(lì)頻率對曲線位置的影響。

題型:判斷題

純金屬具有規(guī)則的晶格,因此電阻率很小,若雜質(zhì)含量極少,則不會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變,造成電子散射,不影響電阻率。

題型:判斷題

有效磁導(dǎo)率μeff是一個(gè)完全取決于頻率比f /fg的大小的參數(shù)。

題型:判斷題

金屬鋁、銀、銅、鐵在冷加工后,電阻一直隨著退火溫度的升高而下降。

題型:判斷題

在檢查鐵磁性材料的缺陷時(shí),常用直流磁化的方法將鐵磁性材料磁化到飽和區(qū),使磁導(dǎo)率的變化向等于1的漸近線趨近,故可作為非鐵磁性材料來對待。

題型:判斷題