刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）