下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。