刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。