常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。