下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。