問(wèn)答題簡(jiǎn)述正性光刻和負(fù)性光刻的概念？?jī)?yōu)缺點(diǎn)？
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1.問(wèn)答題光刻過(guò)程需要哪八大步驟？每個(gè)步驟的作用？
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5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述主要金屬層的制備方法？
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題