摻雜后退火時間一般在（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）