單項(xiàng)選擇題用25兆赫硫酸鋰晶片制的探頭最適宜采用()探傷

A、縱波接觸法
B、水浸探傷法
C、橫波接觸法
D、表面波接觸法


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1.單項(xiàng)選擇題利用三個(gè)平底孔繪制實(shí)測“距離-波幅”曲線時(shí),有時(shí)所得到距探測面最近的孔的反射回波幅度較其他兩孔的低,這是由于()所致

A、三平底孔試塊的探測面表面狀態(tài)不一致
B、近場的影響
C、孔的幾何形狀不正確
D、以上都是

2.單項(xiàng)選擇題水浸探傷法的優(yōu)點(diǎn)是()

A、能提高探測速度
B、易于控制聲束入射方向
C、易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)探傷
D、以上都是

3.單項(xiàng)選擇題一臺新出廠的的超聲波探傷儀,其水平線性誤差應(yīng)為()

A、>6分貝
B、>2%
C、<6分貝
D、≤2%

4.單項(xiàng)選擇題一臺經(jīng)校準(zhǔn)好的超聲波探傷儀,其垂直線性誤差應(yīng)為()

A、>8%
B、≤8%
C、20分貝
D、6分貝

5.單項(xiàng)選擇題儀器抑制旋鈕的功能是()

A、只抑制雜波而對缺陷波無影響 
B、限制檢波后的信號輸出幅度,同時(shí)抑制雜波和缺陷波 
C、可以改善儀器的垂直線性 
D、可以提高儀器的動(dòng)態(tài)范圍

最新試題

下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

為了提高射線照相對比度,可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。

題型:判斷題

底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。

題型:判斷題

一次完整的兩面多層補(bǔ)焊,當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過一次X射線檢測,若反面還需打底,則無需X射線檢測。

題型:判斷題

二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請手續(xù)。

題型:判斷題

送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見的要求,經(jīng)表面檢驗(yàn)合格,申請單無需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。

題型:判斷題

像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。

題型:判斷題

下面給出的射線檢測基本原理中,正確的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無遺留問題方可進(jìn)行試壓。

題型:判斷題

在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。

題型:判斷題