說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。