晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。