問(wèn)答題為什么0.25微米以下工藝的干法刻蝕需要高密度等離子體?
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述ULSI對(duì)刻蝕的要求。
2.問(wèn)答題刻蝕有哪些參數(shù)?
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)(與濕法刻蝕比)。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是干法刻蝕與濕法刻蝕。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述刻蝕的概念、工藝目的、分類、應(yīng)用。
最新試題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是無(wú)源電阻?什么是有源電阻?舉例說(shuō)明。
題型:?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}