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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？
答案：
不用SF6等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對(duì)下層的柵氧化層有較高的選擇比。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么0.25微米以下工藝的干法刻蝕需要高密度等離子體？
答案：
傳統(tǒng)的RIE系統(tǒng)等離子體離化率最大0.1%，因而需要較多的氣體以產(chǎn)生足夠的粒子。較高的氣壓使得粒子碰撞頻繁，反應(yīng)粒子很難...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述ULSI對(duì)刻蝕的要求。
答案：
①對(duì)不需要刻蝕的材料（主要是光刻膠和下層材料）的高選擇比；
②可接受產(chǎn)能的刻蝕速率；
③好的側(cè)壁剖面...
②可接受產(chǎn)能的刻蝕速率；
③好的側(cè)壁剖面...
