由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。