MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。