問答題

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述沉積多晶硅采用什么CVD工具？摻雜的Poly－Si的主要用途。寫出摻雜的Poly－Si做柵電極的6個(gè)原因。

答案：沉積多晶硅采用LPCVD。
用途：①摻雜的Poly－Si在MOS器件中用做柵電極；
②摻雜的Poly...

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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述在APCVD SiO₂時(shí)摻雜PH₃，形成磷硅玻璃（PSG）的優(yōu)缺點(diǎn)。

答案：

優(yōu)點(diǎn)：吸附可動(dòng)離子電荷改善器件界面，降低玻璃的軟化點(diǎn)溫度易于平坦化。
缺點(diǎn)：易吸潮，一般控制P₂O₅的含量在4%以下。

【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述低壓CVD系統(tǒng)（LPCVD）的優(yōu)缺點(diǎn)。

答案：反應(yīng)速度限制為主、溫度控制要求高。
優(yōu)點(diǎn)：膜致密、顆粒少，硅片可密集擺放，臺(tái)階覆蓋較好（主要決定于反應(yīng)氣體）。...