問答題簡述沉積多晶硅采用什么CVD工具?摻雜的Poly-Si的主要用途。寫出摻雜的Poly-Si做柵電極的6個(gè)原因。
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題