根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。