問答題

【簡答題】簡述濺射的優(yōu)缺點(diǎn)。

答案:

優(yōu)點(diǎn):①臺(tái)階覆蓋能力好;②能沉積金屬合金;③能進(jìn)行原位濺射刻蝕。
缺點(diǎn):濺射速率低,金屬膜含氬。

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問答題

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答案:

優(yōu)點(diǎn):①成膜速率高(能蒸發(fā)5微米厚的鋁膜);②金屬膜純度高。
缺點(diǎn):①臺(tái)階覆蓋能力差;②不能沉積金屬合金。

問答題

【簡答題】簡述沉積多晶硅采用什么CVD工具?摻雜的Poly-Si的主要用途。寫出摻雜的Poly-Si做柵電極的6個(gè)原因。

答案: 沉積多晶硅采用LPCVD。
用途:①摻雜的Poly-Si在MOS器件中用做柵電極;
②摻雜的Poly...
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