半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。