晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

梯度功能材料的主要特征有（）

在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

固相燒結(jié)的驅(qū)動力主要來源于坯料的（）

低維材料主要包括（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。