單項選擇題溫度循環(huán)試驗是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
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1.多項選擇題集成電路的電學測試包括功能測試和參數(shù)測試，以下屬于電學測試的為（）。
A.電流
B.電場強度
C.電壓
D.阻抗
2.單項選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法，屬于破壞性測試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
3.單項選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
4.多項選擇題芯片發(fā)生失效的機理包括（）。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
5.單項選擇題引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題