金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。

半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？

在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2％（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98％（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20％的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。

引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

反應(yīng)離子腐蝕是（）。

延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。