問答題對于某種薄膜的CVD過程,淀積溫度為900℃,質量傳輸系數hG=10cms-1,表面反應速率系數ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1?,F有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇(1)冷壁,石墨支座型;(2)熱壁,堆放硅片型。應該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。

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