問答題

【論述題】對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應(yīng)速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1?，F(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應(yīng)該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。

答案： 反應(yīng)室類型熱壁：反應(yīng)室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應(yīng)腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...
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【論述題】

下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。
答案： （1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
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【論述題】常用濺射技術(shù)有哪幾種，簡述它們的工作原理和特點。
答案： 直流濺射——惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負直流電壓的的是...
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