定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？

描述RF濺射系統(tǒng)。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。