判斷題在空間微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸優(yōu)質(zhì)晶錠。
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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于拉單晶時(shí)進(jìn)行的縮頸步驟，下面的說法那種正確（）
A.可以多次縮頸
B.為了能拉出與籽晶相同的硅錠
C.為了終止籽晶中的線缺陷向晶錠的延伸
D.為了終止與籽晶結(jié)合處的缺陷向晶錠的延伸
最新試題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題