判斷題

對(duì)于處于飽和區(qū)的MOS晶體管，漏源電流隨其寬長(zhǎng)比的增大而增大。

答案：正確

你可能感興趣的試題

同種半導(dǎo)體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。

答案：錯(cuò)誤

半導(dǎo)體激光器的工作原理是受激發(fā)射。

答案：正確