下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。