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CMOS電路與雙極集成電路相比速度快。
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對于處于飽和區(qū)的MOS晶體管,漏源電流隨其寬長比的增大而增大。
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同種半導(dǎo)體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。
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