IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）