硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）