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離子注入會將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格,高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除,摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。
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熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散,因為它會導致溝道長度的減小,影響器件的集成度和性能。
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硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活,并提供用于導電的電子或空穴(大約3%~5%),大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置,沒有被電學激活。
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