問答題簡述干氧氧化與濕氧氧化各自的特點(diǎn)，通常用哪種工藝制備較厚的二氧化硅層？
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
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