在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？