從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。