A.帶寬是最重要的；
B.頻率響應(yīng)不太重要；
C.線圈的Q應(yīng)小于1；
D.線圈的Q應(yīng)小于電感.
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A.兩個(gè)線圈的相互作用；
B.試驗(yàn)線圈和被檢零件之間的耦合；
C.A和B；
D.以上都不是
A.感抗和電阻；
B.容抗和電阻；
C.感抗和容抗；
D.電感和電容.
A.相位移；
B.非線性；
C.提離；
D.趨膚效應(yīng)
A.小于試驗(yàn)線圈子因熱損耗而產(chǎn)生的磁通密度；
B.小于試驗(yàn)線圈因電阻率而產(chǎn)生的磁通密度；
C.與試驗(yàn)線圈產(chǎn)生的磁通密度相同；
D.大于試驗(yàn)線圈產(chǎn)生的磁通密度.
A.磁疇的排列利于電子的傳導(dǎo)；
B.磁疇的方向無規(guī)律，因而互相抵消；
C.磁疇方向一致；
D.在材料中產(chǎn)生出北極和南極.
最新試題
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家（）
檢測(cè)申請(qǐng)時(shí)工序狀態(tài)應(yīng)清楚、工序質(zhì)量應(yīng)符合工序質(zhì)量要求，檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)，確保焊接、檢驗(yàn)、檢測(cè)等全過程具有可追溯性。
對(duì)于厚度變化較大的變截面工件透照，只要底片黑度符合GJB1187A的要求時(shí)，就可采用多膠片技術(shù)。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是（），必須嚴(yán)加控制。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中，錯(cuò)誤的是（）。
缺陷分類應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求，標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷，必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考，但不作為合格與否判定的依據(jù)。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
對(duì)含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管，影響其阻抗變化的因素有（）
X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確，因此焊接缺陷無論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。
對(duì)于直徑Φ50mm導(dǎo)管環(huán)焊縫，采用的透照方式為（）。