柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。