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填空題光刻工藝的分辨率決定于：（）和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率（）于負(fù)膠的分辨率；光刻膠越薄，分辨率越（）。

參考答案： 光刻機(jī)的分辨率、光刻膠的種類、光刻膠的厚度、光刻膠的對(duì)比度；高；高

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1.填空題前烘的目的是（）使膠膜中的溶劑只有初始濃度的（）。從而，使膠的（）性能穩(wěn)定。對(duì)正膠，前烘過(guò)度會(huì)使非曝光區(qū)的膠（）；前烘不足，會(huì)使膠的感光度（），對(duì)比度（），線條邊緣不陡直。所以，必須嚴(yán)格控制前烘的（）和（）。

參考答案：去除膠膜中的大部分溶劑；5%；曝光；部分溶解；提高；降低；時(shí)間；溫度

2.填空題光刻膠的三種主要成分是：（）。正膠的感光劑是（），曝光使其（），正膠的曝光區(qū)在顯影后（）；曝光使負(fù)膠的感光劑（），使曝光區(qū)在顯影后（）。

參考答案：感光劑、基體材料和溶劑；重氮醌；長(zhǎng)鏈分子斷裂；去除；交聯(lián)；保留

3.填空題光學(xué)光刻機(jī)的主要曝光光線的是波長(zhǎng)為（）的g線和（）的i線，適合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF準(zhǔn)分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

參考答案：436nm；365nm；248nm；193nm

4.填空題光學(xué)光刻機(jī)主要有（）等幾種。非光學(xué)光刻機(jī)主要有（）。

參考答案：接觸式、接近式、投影式和分步重復(fù)光刻機(jī)；電子束光刻機(jī)和X射線光刻機(jī)

5.填空題光刻工藝的主要工序有：（）組成。

參考答案：涂膠、前烘、對(duì)位、曝光、顯影、堅(jiān)膜、介質(zhì)刻蝕、去膠