問(wèn)答題簡(jiǎn)述正膠和負(fù)膠顯影效果
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻膠的概念及目的
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入設(shè)備的五個(gè)主要子系統(tǒng)
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入的優(yōu)缺點(diǎn)
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述熱擴(kuò)散的三個(gè)步驟，以及它們的作用
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述摻雜的兩種方法
最新試題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題